banner

IGBT

旷通的IGBT采用沟槽场截止器件结构，以得到更低的导通压降与更小的开关损耗。目前公司已先后推出第五代及第六代IGBT多个系列产品，涵盖600V~1700V电压，适合应用于家电、光伏储能逆变、直流充电桩、汽车主驱、UPS等领域。

    1. Package

    2. V(BR)CES

    3. Ic@100℃

      Min：15
      Max：100

    4. VCE(sat)

      Min：1.4
      Max：2

    5. VGE(th)

      Min：4.8
      Max：6

    6. Eoff

      Min：0.3
      Max：4.4

    7. VF

      Min：1.3
      Max：2.7

    8. Technology

Inquiry Datasheet Part Number Package V(BR)CES Ic@100℃ VCE(sat) VGE(th) Eoff VF Technology
Max Typ Typ Typ Typ
(V) (A) (V) (V) (mJ) (V)

Inquiry

Product model

    Contact person

    Contact number

    Area